Hipofosfito de alumínio de grau eletrônico

O hipofosfito de alumínio de grau eletrônico desenvolvido e produzido pela Taixing adota de forma inovadora a tecnologia central de purificação de matéria-prima de grau eletrônico e modificação de classificação de precisão. Utiliza Al (H ₂ PO ₂) I3 de alta pureza como matriz, com pureza superior a 99,8% e teor de fósforo ≥ 42,5%. Combina retardamento de chama eficiente e excelente desempenho elétrico. Com apenas 6% -10% de adição, ele pode atingir um retardador de chama UL 94 V-0 de 1,6 mm de espessura, resolvendo completamente os problemas da indústria de retardadores de chama tradicionais "contaminando substratos, interferindo no desempenho elétrico e incapazes de atender à conformidade de grau eletrônico". Ele fornece uma solução de material de núcleo segura e compatível para fabricação de eletrônicos de alta tecnologia.

Principais pontos fortes

1. Pureza ultra alta e baixo teor de impurezas, adequado para requisitos rigorosos de grau eletrônico

-O processo de purificação final garante pureza: usando uma combinação de processo de "recristalização em vários estágios + filtração de precisão + desgaseificação a vácuo", a pureza do produto é ≥ 99,8%, muito superior ao padrão de 99% de nível industrial, removendo efetivamente impurezas prejudiciais, como íons cloreto (≤ 0,001%) e sulfatos (≤ 0,002%), evitando migração de impurezas que pode causar curto-circuitos em componentes eletrônicos ou degradação de desempenho.

-Resíduo de metal pesado ultrabaixo: Através da detecção ICP-MS, o conteúdo total de metais pesados, como chumbo, mercúrio, cádmio, etc. é ≤ 0,5 ppm, muito abaixo dos requisitos de limite RoHS 2.0. Não há resíduos de ftalatos (DEHP/BBP, etc.), atendendo plenamente aos padrões de “baixa poluição, alta limpeza” para materiais eletrônicos.

-O alto teor de fósforo permite um retardamento de chama eficiente: Com um teor de fósforo ≥ 42,5%, a eficiência do retardamento de chama é aumentada em 40% em comparação com o hipofosfito de alumínio comum. Após a composição com sinergistas como MCA e APP, a adição de 8% ao substrato PCB pode atingir o nível de retardamento de chama V-0 sem afetar as propriedades dielétricas do substrato.

2. Excelente desempenho elétrico garante operação estável de dispositivos eletrônicos

-Baixa perda dielétrica e alto isolamento: constante dielétrica (1MHz) ≤ 3,8, fator de perda dielétrica ≤ 0,005, resistividade volumétrica ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. A adição não altera significativamente as propriedades elétricas do substrato, garantindo a estabilidade da transmissão do sinal de embalagens semicondutoras e equipamentos de comunicação de alta frequência.

-Excelentes características de migração anti-íon: Depois de ser colocado em um ambiente úmido e quente de 85 ℃/85% RH por 1000 horas, não há nenhum fenômeno óbvio de migração de íons, evitando que componentes eletrônicos experimentem "falha de migração elétrica" ​​e atendendo aos requisitos de serviço de longo prazo de novas baterias de energia, eletrônicos automotivos e outros dispositivos.

-Boa não corrosividade e compatibilidade: O valor do pH é estável em 3,5-4,5 e não tem efeito corrosivo em contatos metálicos e placas de circuito. Possui excelente compatibilidade com substratos de grau eletrônico, como resina epóxi, PA, PBT, etc., e não causa degradação do substrato ou deterioração do desempenho.

Cenários de aplicação

Campo de semicondutores e embalagens eletrônicas

-Aplicações: Materiais de embalagem de chips semicondutores, adesivos para encapsulamento de componentes eletrônicos, caixas de circuitos integrados

-Como um enchimento dielétrico baixo para substituir algum micro pó de silício, a quantidade de adição é de 15 a 30%. Ao mesmo tempo que mantém a fluidez, reduz a constante dielétrica em 0,2-0,3 e melhora o retardamento de chama para UL94 V-0. Ele é usado para embalagens de CPU, GPU e chips de armazenamento.

Campo Placa de Circuito Impresso (PCB)

-Aplicações: materiais de substrato de PCB, laminados revestidos de cobre retardadores de chama, invólucros de placas de circuito

-Laminado revestido de cobre de baixa perda (CCL): composto com resinas de alta frequência como PTFE, PPO, éster de cianato, etc., com adição de E-AHP100 de 20-40%, atingindo Dk 3,2-3,8 e Df<0,005, atendendo aos requisitos de placas de antena de ondas milimétricas 5G e tabelas de servidores de alta velocidade.

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